Cu CMP工艺对薄膜介电常数的影响机制

摘要：

研究了使用不同研磨液的Cu CMP工艺对超低介电常数(ULK)薄膜介电常数k值的影响.实验结果表明经过Cu CMP工艺,ULK薄膜的介电常数k均有不同程度的增加.XPS成分分析结果表明,ULK薄膜表面C含量的增加是造成介电常数k值升高的主要原因.这主要是由于CMP工艺中,化学品溶液进入多孔的ULK薄膜.而退火工艺可以使得化学品挥发,从而使ULK薄膜表面C含量降低,由此介电常数k基本上得以恢复.初步建立了Cu CMP工艺对介电常数k影响的物理模型.根据模型计算的k结果为2.75,与实测值2.8基本符合.

关键词：Cu CMP、超低介电常数(ULK)、介电常数k、退火

所属期刊栏目：41

分类号：TN305.2(半导体技术)

在线出版日期：2017-01-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：929-932