GaAs场效应晶体管不同极性ESD损伤机理

摘要：

对GaAs场效应晶体管(FET)进行3个正向和3个负向脉冲(3“+”3“-”)、3个负脉冲(3“-”)、3个正脉冲(3“+”)3种极性静电放电(ESD)实验,不同极性ESD实验下器件的失效阈值不同.以栅源端对为例对实验结果进行分析,在3“+”3“-”和3“-”极性下,器件失效模式为栅源短路,在3“+”极性下器件电参数退化.运用热模型对ESD正负脉冲电压产生的温升进行了计算,器件的损伤机理为,在正向脉冲下为栅金属纵向电迁移导致肖特基势垒退化;在ESD负向脉冲下为高电场引起栅源端对击穿.

关键词：GaAs场效应晶体管(FET)、静电放电(ESD)实验、热模型、失效模式、损伤机理

所属期刊栏目：40

分类号：TN306;TN386(半导体技术)

在线出版日期：2015-10-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：663-666