GaN异质外延中的侧向生长技术

摘要：

以GaN为代表的Ⅲ族氮化物在微电子、光电子和传感器等领域均发挥了重要作用.但是由于大尺寸的单晶GaN衬底仍无法实现,目前绝大多数氮化物材料都是通过异质外延的方式来实现,外延材料和异质衬底之间巨大的晶格失配和热失配是导致GaN外延层中位错密度较高的主要原因.侧向生长(ELOG)技术是GaN异质外延中降低位错密度的一种有效方法,总结了该项技术的特点,并对单步ELOG技术、双步ELOG技术、悬空ELOG技术以及无掩膜ELOG技术等多种技术趋势进行了总结.ELOG技术可以有效降低位错密度,但是仍需降低工艺复杂性和减少沾污.

关键词：氮化物、异质外延、掩膜、位错、侧向生长(ELOG)技术

所属期刊栏目：40

分类号：TN304.055;TN304.22(半导体技术)

在线出版日期：2015-08-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：536-541,553