在SixGe1-xC0.02衬底上直接生长石墨烯

摘要：

基于锗衬底在石墨烯生长方面的自限制生长和表面催化特性,以甲烷(CH4)和氢气(H2)为前驱体,采用化学气相沉积(CVD)法分别在锗硅碳(SixGe1-xC0.02)(x=0.15,0.25,0.73)衬底和外延锗上直接生长石墨烯.研究了不同Si组分、H2与CH4体积流量比和生长温度对石墨烯质量的影响.利用光学显微镜(OM)、扫描电子显微镜(SEM)以及喇曼光谱对衬底和生长的石墨烯进行了表征分析.喇曼光谱结果表明,Si0.5Ge0.85C0.02衬底在750℃下可以生长出石墨烯,调节气体H2与CH4的体积流量比为50∶0.5时,生长出的石墨烯是双层的.OM和SEM结果表明,锗硅碳衬底具有比锗更好的热稳定性,高温下不会升华.

关键词：锗硅碳(SixGe1-xC0.02)、化学气相沉积(CVD)、外延Ge、石墨烯、热稳定性

所属期刊栏目：40

分类号：TN304.055(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金61306124

在线出版日期：2015-08-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：531-535,553