Mg膜厚度对Mg2Si半导体薄膜结构及方块电阻的影响

摘要：

采用射频磁控溅射系统和热处理系统制备了Mg2Si半导体薄膜.首先在Si衬底上溅射不同厚度的Mg膜,然后在真空退火炉中进行低真空热处理4h制备一系列Mg2Si半导体薄膜.采用台阶仪、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对Mg2Si薄膜样品的结构、表面形貌、剖面进行表征,研究了Mg膜厚度对Mg2Si半导体薄膜生成的影响.结果表明,在Si衬底上制备出以Mg2Si (220)为主的单一相Mg2Si薄膜,且Mg2Si (220)的衍射峰强度随着Mg膜厚度的增加先增大后减小,Mg膜为2.52 μm时,制备的Mg2Si薄膜表现出了良好的结晶度和平整度.最后,研究了Mg膜厚度对Mg2Si薄膜方块电阻的影响.

关键词：磁控溅射、热处理、Mg2Si薄膜、薄膜厚度、方块电阻

所属期刊栏目：40

分类号：TN304.055(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;贵州省科技攻关计划;贵州省科技创新人才团队建设专项;国家国际科技合作专项基金;国家国际科技合作专项基金;黔教合重大专项;贵阳市科技计划;贵州省自然科学基金;贵州省青年英才培养工程资助项目;贵州省科技厅、贵州大学联合资金资助项目;贵州大学研究生创新基金

在线出版日期：2015-08-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：525-530