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10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.07.009

GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的量子阱参数设计

引用
量子阱参数如势阱宽度、势垒高度和阱中的掺杂浓度决定了阱中的能级分布及光学吸收,它和量子阱红外探测器(QWIP)的响应波长、暗电流、响应率、探测率等特性参数密切相关.为了使设计的QWIP达到预期的各种性能指标,对其各参量进行了精心设计.运用量子阱的第一激发态与势垒的高度接近时产生共振效应,进行了量子阱的优化设计,得出垒高和阱宽的关系.另外,根据器件光谱响应的要求,利用传输矩阵法计算出相应的量子阱参数.此设计方法在GaAs/AlGaAs长波-长波双色QWIP中得到了较好的验证.

量子阱红外探测器(QWIP)、暗电流、光谱响应、探测率、双色

40

TN304.24;TN362(半导体技术)

2015-08-10(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

521-524,530

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半导体技术

1003-353X

13-1109/TN

40

2015,40(7)

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