8 kW高功率单刀四掷射频开关

摘要：

介绍了pin二极管的工作原理,分析了大功率射频(RF)开关的主要参数及对应的设计方法,阐述了大功率射频开关设计过程中反向偏置电压的设计方法及安全性设计的考虑.运用ADS电路仿真软件对射频开关电路进行了仿真和优化,利用pin二极管的特性成功研制出了一款VHF波段8 kW高功率单刀四掷(SP4T)射频开关.研制出的SP4T开关控制电平为0～-1 000 V的差分信号,可承受峰值功率大于8 kW,平均功率大于1.5 kW,当脉宽为60 μs、占空比为25％时,插入损耗小于0.3dB,输入驻波比小于1.3∶1,开关隔离度大于55 dB,转换时间小于50 μs.

关键词：pin二极管、单刀四掷开关(SP4T)、峰值功率、隔离度、转换时间

所属期刊栏目：40

分类号：TN722.75;TN43(基本电子电路)

在线出版日期：2015-08-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：516-520