10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.07.006
GaN HEMT器件微波噪声模型参数提取
介绍了两种可以用于GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件建模的噪声模型,Pu-cel等效电路噪声模型和Pospieszalski温度噪声模型.基于Pucel等效电路噪声模型,介绍了利用器件本征噪声参数推导Pucel噪声模型参数的过程,并且给出了微波噪声模型参数的表达式.利用上述方法,针对200 μm栅宽的GaN HEMT器件,提取了噪声模型参数值,并且在ADS仿真软件平台上建立了GaN HEMT器件的Pucel等效电路噪声模型,仿真结果与实测结果在频率为4~18 GHz带宽内吻合较好,说明提出的噪声模型参数提取方法对于GaN HEMT器件噪声仿真的实用性和准确性.
氮化镓、高电子迁移率晶体管(HEMT)、噪声、模型、参数提取
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TN386(半导体技术)
2015-08-10(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
507-511