基于90 nm工艺节点的MOSFET版图失配研究

摘要：

研究了CMOS模拟集成电路的不同版图结构对电路性能的影响规律,探讨了不同版图结构对工艺波动的抑制作用.通过采用90 nm CMOS工艺设计了8种不同宽长比(W/L)的数模转换器(DAC),分别利用单栅与多指栅结构实现该DAC电流源输出驱动管阵列,并将其作为研究对象进行了分析.通过分析金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)阈值电压VTH和DAC输出电压Vout的实测数据,对CMOS模拟集成电路的最优版图设计方案进行了探讨.最后,利用本研究结果设计了一款90 nm工艺的低功耗CMOS运算放大器,相比传统版图结构,该放大器的工艺波动抑制能力提高了5.87％.

关键词：多指栅、电流舵、工艺波动、阈值电压、版图

所属期刊栏目：40

分类号：TN73(基本电子电路)

资助基金：河南省科技厅国际合作项目;河南省教育厅基础与前沿技术研究项目;河南科技大学青年基金

在线出版日期：2015-08-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：499-506