高效率包络跟踪功率放大器

摘要：

基于功率放大器(PA)效率提高技术,设计了一套包络跟踪(ET)功率放大器系统,射频(RF)功率放大器的漏极采用三电位G类结构的包络跟踪放大器提供自适应电压偏置,包络放大器包含两个自主设计的横向双扩散晶体管(LDMOS)开关管,RF功率放大器采用自主研发的LDMOS功率放大管进行优化匹配设计.在连续波(CW)信号激励下,28 V恒定电压下测得功率放大器在2.11 GHz下饱和输出功率为40 dBm,饱和漏极效率为51％,输出功率回退8 dB时的漏极效率为22％,采用包络跟踪后提高至40％.在8 dB峰均比(PAR) WCDMA信号激励下,28 V恒定电压下测得功率放大器的平均效率为21％,采用包络跟踪后提高至35％.实验结果表明,采用自主设计的LDMOS开关管和LDMOS功率放大管应用到包络跟踪系统后,功率放大器的效率明显提高,验证了包络跟踪技术的优势和自主设计的LDMOS管芯的优越性.

关键词：包络跟踪、功率放大器(PA)、高效率、横向双扩散晶体管(LDMOS)、开关管

所属期刊栏目：40

分类号：TN385;TN722.7(半导体技术)

资助基金：国家科技重大专项;国家自然科学基金;江苏省科技计划;苏州市科技计划;中国科学院战略性先导科技专项

在线出版日期：2015-08-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：494-498