3 mm单平衡混频器芯片

摘要：

为满足3 mm收发系统的小型化需求,采用InP高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,设计并制造了一款3 mm单平衡混频器芯片.该单平衡混频器芯片采用了反向并联肖特基二极管对(APDP)和三线耦合Marchand巴伦结构,在获得精确的肖特基二极管非线性模型和巴伦电磁场S参数模型的基础上,对混频器进行了电路设计.最终获得了良好的工作带宽、变频损耗与隔离度指标,在片测试结果显示,该芯片射频、本振频率为82～100 GHz,变频损耗小于9 dB,本振(LO)-射频(RF)隔离度大于20 dB,中频带宽为0.1～18 GHz,整体芯片尺寸为1.1 mm×1.0 mm.

关键词：磷化铟、3 mm、单平衡混频器、巴伦、肖特基二极管

所属期刊栏目：40

分类号：TN773(基本电子电路)

在线出版日期：2015-08-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：485-488