由栅氧损伤引起闩锁效应的失效分析

摘要：

随着MOS器件特征尺寸的缩小和栅氧化层厚度的减薄,栅氧损伤成为MOS集成电路在实际应用中的主要失效模式之一.闩锁是CMOS集成电路结构所固有的寄生效应,寄生的可控硅结构一旦被特定条件触发,会在电源与地之间形成大电流通路,导致整个器件失效.对一例由栅氧损伤引起器件闩锁效应的失效进行分析.通过微光显微镜(EMMI)技术和激光诱导阻值变化(OBIRCH)技术进行失效定位,在电路板级通信状态下进行闩锁效应复现及验证.最后通过分析损伤所在的电路功能和器件结构,阐述闩锁效应形成的机理.

关键词：栅氧损伤、闩锁效应、可控硅(SCR)、微光显微镜(EMMI)技术、激光诱导阻值变化(OBIRCH)技术

所属期刊栏目：40

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2015-07-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：468-472