CuxSiyO阻变存储器单粒子和总剂量辐照效应

摘要：

对CuxSiyO结构的阻变存储器(RRAM)进行了总剂量(TID)以及单粒子辐照(SEE)实验.总剂量实验中,1T1R样品分别接受总剂量为1,2和3 kGy (SiO2)的60Co γ射线辐射.样品中没有出现低阻在辐照后翻转的现象.单粒子辐照实验中,16 kbit RRAM阵列样品分别接受线性能量转移(LET)值最高达75 MeV的4种离子束的辐射.样品中没有出现低阻在辐照后翻转的现象.除一组无翻转外,存储单元的高阻到低阻的翻转率皆在0.06％左右.实验结果证实了RRAM中已经形成的导电通道不会受辐照影响,因此不存在低阻翻转为高阻的现象.

关键词：阻变存储器(RRAM)、抗辐照、总剂量效应(TID)、单粒子效应(SEE)、地面辐照实验

所属期刊栏目：40

分类号：TN406(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2015-07-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：464-467