集成电路封装级失效及其定位

摘要：

失效分析中有许多类型的封装级失效.由于封装材料限制或者无损检测要求,无法从外观直接观察到失效点,需要借助于设备进行失效定位才能快速、准确地进行分析.总结了集成电路封装级失效的几种常见失效机理和失效原因,提出三种有效的分析手段和分析方法进行失效定位:X射线检测、超声扫描声学显微镜以及热激光激发光致电阻变化(OBIRCH)技术,分别用于元器件结构观察、不同材料界面特性分析和键合损伤位置定位.从倒装芯片封装、陶瓷封装、塑料封装和金铝键合短路四个失效分析的实际案例出发,阐明三种封装级失效定位手段应用的领域、特点和局限性.结果表明在封装级失效中,通孔断裂开路、焊料桥连短路、键合损伤和界面分层等缺陷能够准确地被定位进而分析.

关键词：集成电路、封装级失效、光致电阻变化(OBIRCH)、失效分析、失效定位、扫描声学显微镜(SAM)

所属期刊栏目：40

分类号：TM406(变压器、变流器及电抗器)

在线出版日期：2015-07-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：455-459,477