晶硅衬底参数对背接触太阳电池性能的影响

摘要：

利用Silvaco-TCAD半导体器件仿真软件对n型插指背接触(IBC)晶硅太阳电池衬底参数进行了优化,全面系统地分析了晶硅衬底厚度、电阻率、少子寿命对IBC太阳电池量子效率、短路电流、开路电压、转换效率的影响.结果表明:晶硅衬底少子寿命是影响IBC太阳电池性能的最主要因素.少子寿命越高,电池转换效率越高.当晶硅衬底电阻率为2Ω·cm,少子寿命为500 μs时,最优的衬底厚度范围为60～65μm,IBC太阳电池转换效率约为22.5％.利用高质量晶硅材料制备IBC太阳电池时,可降低对衬底厚度的要求.当晶硅衬底厚度为150 μm、少子寿命为500μs时,最优衬底电阻率为0.3 Ω·cm,IBC太阳电池转换效率约为23.3％.少子寿命越低,IBC太阳电池最优的衬底电阻率越大.

关键词：背接触、晶硅太阳电池、电阻率、厚度、少子寿命、效率

所属期刊栏目：40

分类号：TM304.12(电机)

资助基金：国家自然科学基金;辽宁省教育一般项目

在线出版日期：2015-07-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：441-447,477