电化学法制备CdSexTey薄膜及其光电性能

摘要：

以Cd(NO3)2·4H2O,Na2 SeO3和Na2TeO3的混合液为电解液,采用电化学共沉积法在氧化铟锡(ITO)玻璃基底上制备了CdSexTey薄膜样品.探讨了沉积电压、水浴温度、沉积时间以及Cd,Te和Se物质的量比等制备条件对样品在模拟太阳光下的开路电压的影响.结果表明,在沉积电压为3.0V,水浴温度为50℃,沉积时间为30 min,n(Cd)∶n(Te)∶n(Se)=5.6∶1∶1时制备的CdSexTey薄膜具有较高的开路电压,其值可达到0.464 1 V.X射线衍射(XRD)分析结果显示,CdSexTey样品中含单质态Se,CdSexTey的3个主要衍射峰对应的晶粒尺寸分别为43.07,44.56和44.03 nm.能谱分析(EDS)结果显示,样品中Cd,Te,Se元素的质量分数分别是6.53％,6.25％和14.52％,原子数分数分别为1.68％,1.42％和5.32％.对Cd元素原子数分数进行归一化处理,则样品CdSexTey中x为3.17(其中有化合态Se2-为0.15,单质态Se为3.02),y为0.85.

关键词：电化学共沉积、CdSexTey、薄膜、开路电压、光电性能

所属期刊栏目：40

分类号：TN304.25(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;广西科学研究与技术开发计划课题资助项目

在线出版日期：2015-06-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：382-388