适用于高速闪存的超快无片外电容LDO

摘要：

提出了一种适用于闪存的瞬态增强的无片外电容低压差线性稳压器(LDO).该LDO采用了具有超低输出阻抗的缓冲器驱动功率管和高能效基准方法,缓冲器采用并联反馈技术降低输出电阻以增强功率管栅端的摆率.高能效基准电路在静态模式输出小基准电流以减少静态功耗,而在工作模式提供大的基准电流以增加闭环带宽和功率管栅端的摆率.设计的LDO应用于采用70 nm闪存工艺制造的、工作电压为2～3.6 V和存储容量为64 M的闪存中.测试结果表明,该LDO输出的调制电压为1.8V,最大输出电流为40 mA,在没有负载的条件下仅消耗8.5μA的静态电流,在满载电流变化时,用于闪存时仅有20 ns响应时间且最大输出电压变化仅为72 mV,满足高速闪存的要求.

关键词：低压差线性稳压器(LDO)、片外电容、并联反馈、高能效基准、负载瞬态响应

所属期刊栏目：40

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金;上海市科委智能制造;先进材料领域项目

在线出版日期：2015-06-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：338-342