局域图形上的碳纳米管可控生长及转移

摘要：

射频通信领域中,开关触点材料对射频微电子机械系统(RF MEMS)开关的性能影响很大.在图形化的二氧化硅(SiO2)基底上采用热化学气相沉积(TCVD)法通过“分段”方法生长出了长度为1 ～ 20 μm可控的垂直均匀的优质碳纳米管(CNT)微阵列,并结合MEMS工艺将CNT/Au复合触点转移到了玻璃基底上.转移前在面积分别为30～ 120 μm2碳管阵列顶端镀金,测量出CNT/Au电极阻值分布在0.429～0.612 Ω,与相同面积Au电极(0.421 Ω)导电性能相差不大.因此,CNT/Au是一种潜在优良的MEMS开关触点材料.

关键词：开关触点、碳纳米管(CNT) /Au、“分段”生长、图形转移、碳纳米管

所属期刊栏目：40

分类号：TN304.18(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金61273061

在线出版日期：2015-03-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：123-128