一种双稳态电磁型射频MEMS开关的设计与测试

摘要：

设计了一种低电压驱动的双稳态电磁型射频MEMS开关.与驱动电压高这几十伏的静电型射频MEMS开关相比,其驱动电压可低至几伏,因此应用时无需增加电荷泵等升压电路.开关可在磁场驱动下实现双稳态切换,稳态时无直流功率消耗.分析了工作磁场的分布特点,进行了结构设计仿真;并使用HFSS软件和粒子群算法进行了射频参数仿真、结构参数优化及主要结构参数显著性研究,得出了影响开关射频传输性能的主要结构参数;采用表面牺牲层工艺制作了原理样机并进行了射频性能参数的测试.结果表明,开关样机在DC～3 GHz工作频率区间内,插入损耗小于0.25 dB,隔离度大于40 dB.

关键词：微电子机械系统(MEMS)、射频开关、插入损耗、隔离度、测试

所属期刊栏目：40

分类号：TN631(电子元件、组件)

在线出版日期：2015-03-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：117-122