基于40 nm CMOS工艺的电平转换器的设计及优化

摘要：

电平转换器可以作为1.1V核心电压和3.3V输入输出电压之间的高速接口.优化的电压上升转换器使用2.5V厚氧化层栅零阈值电压nMOS管保护1.1V薄氧化层栅nMOS器件,在输入电压低至0.7V时仍可正常工作;此外,在六种不同工作情况下电路性能良好.3.3 V nMOS器件作为优化电平下降转换器的上拉和下拉器件,它们的供电电压是1.1V,栅压范围从0V到3.3V.电平下降转换器没有最小核心电压限制,上升传输延时0.111 ns,下降传输延时0.121 ns.电平转换器经过结构优化后,可以成功应用到40 nm CMOS工艺的I/O库的输入输出单元中,作为低功耗、高速接口.

关键词：电平转换器、核心电压、输入输出电压、40 nm、CMOS工艺

所属期刊栏目：40

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2015-03-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：93-96,122