宽带LC压控振荡器的相位噪声优化设计

摘要：

采用0.35 μm BiCMOS工艺,设计了一款基于开关电容阵列结构的宽带LC压控振荡器.同时分析了电路中关键参数对相位噪声的影响.基于对VCO中LC谐振回路品质因数的分析,优化了谐振回路,提高了谐振回路的品质因数以降低VCO的相位噪声.采用噪声滤波技术,减小了电流源晶体管噪声对压控振荡器相位噪声的影响.测试结果表明,优化后的压控振荡器能够覆盖1.96～2.70 GHz的带宽,频偏为100 kHz和1 MHz的相位噪声分别为-105和-128 dBc/Hz,满足了集成锁相环对压控振荡器的指标要求.

关键词：LC压控振荡器(VCO)、相位噪声优化、品质因数、噪声滤波、宽带

所属期刊栏目：40

分类号：TN752(基本电子电路)

在线出版日期：2015-03-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：89-92,135