微波、毫米波GaN HEMT与MMIC的新进展(续)

摘要：

3 MMIC技术
在芯片上由GaN HEMT有源器件和无源元件(如MIM电容、薄膜电阻和衬底上的通孔等)所组成的微波单片集成电路(MMIC)和GaN HEMT分立晶体管几乎同步发展,MMIC技术的发展使GaNHEMT器件的电路应用能减少体积和质量,适应高频率的需求和批量生产.目前4英寸(1英寸=2.54 cm)圆片级GaN MMIC加工线已经成熟,GaN MMIC的工作频率已覆盖微波到3 mm波段,GaN MMIC的性能向高效率、高功率、宽频带和多功能集成的方向发展.

机标关键词：毫米波、hemt、mmic、新进展

所属期刊栏目：40

分类号：TN386;TN43(半导体技术)

在线出版日期：2015-03-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：81-88