DCIV技术表征MOS/SOI界面陷阱能级密度分布

摘要：

基于直流电流电压(DCIV)理论和界面陷阱能级U型对称分布模型,可以获取硅界面陷阱在禁带中的分布,即利用沟道界面陷阱引起的界面复合电流与不同源/漏-体正偏电压(Vpn)的函数关系,求出对应每个Vpn的有效界面陷阱面密度(Neff),通过Neff函数与求出的每个Neff值作最小二乘拟合,将拟合参数代入界面陷阱能级密度(DIT)函数式,作出DIT的本征分布图.分别对部分耗尽的nMOS/SOI和pMOS/SOI器件进行测试,得到了预期的界面复合电流曲线,并给出了器件界面陷阱能级密度的U型分布图.结果表明,两种器件在禁带中央附近的陷阱能级密度量级均为109 cm-2·eV-1,而远离禁带中央的陷阱能级密度量级为1011 cm-2·eV-1.

关键词：直流电流电压(DCIV)、金属氧化物半导体/绝缘体上硅(MOS/SOI)、有效界面陷阱面密度、最小二乘拟合、U型分布

所属期刊栏目：40

分类号：TN386(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金

在线出版日期：2015-03-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：63-67