适合低成本封装的1310 nm FP半导体激光器芯片

摘要：

以太无源光网络(EPON)技术应用广泛,但是要求器件的出纤光功率较高.采用球透镜结合窄发散角芯片的封装方式逐渐成为主流.在有源区为基于AlGaInAs材料体系脊波导结构的1 310 nm法布里-珀罗(FP)半导体激光器中加入模式扩展结构,成功研制出温度特性良好、高效率、窄远场发散角的芯片.室温下芯片的阈值电流与无扩展波导结构的芯片相当,均为10 mA量级;效率达到0.6 mW/mA;远场发散角快轴为23°,慢轴为13°;85℃的阈值电流为20 mA,效率为0.55 mW/mA.该芯片可以使用低成本的晶体管外形(TO)封装技术制成,满足EPON标准的器件.

关键词：脊波导、法布里-珀罗(FP)半导体激光器、扩展波导、窄发散角、晶体管外形(TO)封装

所属期刊栏目：40

分类号：TN248.4(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2015-03-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：39-43