漏源间距对AlGaN/GaN HEMT器件特性的影响

摘要：

采用相同的欧姆接触,栅长为100 nm的T型栅以及50 nm的氮化硅(SiN)表面钝化等器件工艺,制备了漏源间距分别为2和3μm的AlGaN/GaN高电子迁移率场效应晶体管(HEMT).研究发现,当漏源间距从2μm增加至3μm后,器件的直流特性略有下降,如在Vgs为1V下的饱和电流密度从1.4 A/mm下降至1.3 A/mm.此外,器件的射频特性也略有下降,电流增益截止频率(fT)从121 GHz降至116 GHz,最大振荡频率(fmax)从201 GHz下降至189 GHz.然而,器件的击穿特性却有显著提升,击穿电压从44 V提升至87 V.在实际器件设计制备过程中可考虑适当增加漏源间距,在保持直流和射频特性的前提下,提升器件的击穿特性.

关键词：AlGaN/GaN、漏源间距、T型栅、射频特性、击穿电压

所属期刊栏目：40

分类号：TN386(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;实验室开放基金

在线出版日期：2015-03-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：19-23