10 Gbit/s 850 nm pin光电二极管

摘要：

GaAs pin光电二极管在数据通信领域发挥着重要的作用,在综合考虑了高速光电探测器的频率特性和响应度的基础上,给出了AlGaAs/GaAs pin光电二极管结构参数的最优化设计,使其在频率响应特性上满足10 Gbit/s的要求.着重研究了在半导体制作工艺中所涉及的光刻、腐蚀、表面钝化以及欧姆接触等问题,研制出暗电流小、响应速率高、响应度高而且可靠性良好的短波长高速pin光电二极管.在产品应用之前的可靠性测试中,老化时间大于2 000 h的情况下仍能保持良好的暗电流特性,满足工业化生产的条件.

关键词：850 nm波段、数据通信、pin光电二极管、AlGaAs/GaAs、半导体工艺

所属期刊栏目：39

分类号：TN312.4(半导体技术)

在线出版日期：2014-05-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：285-288