700 V VDMOS终端结构优化设计

摘要：

基于垂直双扩散金属氧化物(VDMOS)场效应晶体管终端场限环(FLR)与场板(FP)理论,在场限环上依次添加金属场板与多晶硅场板,并通过软件仿真对其进行参数优化,最终实现了一款700 V VDMOS终端结构的优化设计.对比场限环终端结构,金属场板与多晶硅复合场板的终端结构,能够更加有效地降低表面电场峰值,增强环间耐压能力,从而减少场限环个数并增大终端击穿电压.终端有效长度仅为145 μm,击穿电压能够达到855.0 V,表面电场最大值为2.0×105 V/cm,且分布比较均匀,终端稳定性和可靠性高.此外,没有增加额外掩膜和其他工艺步骤,工艺兼容性好,易于实现.

关键词：垂直双扩散金属氧化物(VDMOS)场效应晶体管、终端结构、场限环(FLR)、复合场板(FP)、击穿电压

所属期刊栏目：39

分类号：TN386(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金资助项目61271090;国家高技术研究发展计划863计划资助项目2012AA012305

在线出版日期：2014-05-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：274-278