宽带低噪声放大器单片微波集成电路

摘要：

从行波放大器设计理论出发,研制了一款基于低噪声GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计的2～ 20 GHz单片微波集成电路(MMIC)宽带低噪声放大器.该款放大器由九级电路构成.为了进一步提高放大器的增益,采用了一个共源场效应管和一个共栅场效应管级联的拓扑结构,每级放大器采用自偏压技术实现单电源供电.测试结果表明,本款低噪声放大器在外加+5 V工作电压下,能够在2～20 GHz频率内实现小信号增益大于16 dB,增益平坦度小于±0.5 dB,输出P-1 dB大于14 dBm,噪声系数典型值为2.5 dB,输入和输出回波损耗均小于-15 dB,工作电流仅为63 mA,低噪声放大器芯片面积为3.1 mm×1.3 mm.

关键词：砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)、单片微波集成电路(MMIC)、低噪声放大器、宽带、行波

所属期刊栏目：39

分类号：TN43;TN722.3(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2014-05-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：259-263