硅基Ⅱ-Ⅵ族单结及多结太阳电池研究进展

摘要：

Ⅱ-Ⅵ族材料具有少子寿命对位错不敏感、禁带宽度范围大及成本低等优点,分子束外延(MBE)生长的Si基Ⅱ-Ⅵ族材料可以作为新的材料体系应用于多结太阳电池中,并且开发新型Si基Ⅱ-Ⅵ族多结电池的效率有可能高于目前的Ⅲ-Ⅴ族多结电池.综述了MBE生长的Si基高质量CdTe和CdZnTe单晶薄膜以及对其进行n型和p型掺杂实验的研究进展.着重介绍了美国EPIR公司对以p-Si为衬底的CdZnTe单结电池和CdZnTe/Si双结电池原型器件的研究成果,其光伏转换效率分别达到了16％和17％,分析了研制高效率Si基Ⅱ-Ⅵ族多结电池面临的技术问题和提高电池效率的可能途径.

关键词：Ⅱ-Ⅵ族化合物材料、硅基、多结(MJ)太阳电池、分子束外延(MBE)、光伏效率

所属期刊栏目：39

分类号：TM914.4;TN304.25

资助基金：国家自然科学基金资助项目61376058

在线出版日期：2014-05-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：241-247