选择性腐蚀Si1-xGex与Si制备绝缘体上超薄应变硅

摘要：

基于应变硅以及绝缘体上超薄应变硅(SSOI)工艺,使用氢氟酸、硝酸和醋酸的混合溶液与质量分数为25％的四甲基氢氧化铵(TMAH)溶液选择性腐蚀Sil-xGex与Si以制备绝缘体上超薄应变硅.研究了质量分数为0.5％～5％的HF和Si1-xGex中Ge的含量对选择性腐蚀的腐蚀速度与选择比的影响,优化了选择性腐蚀工艺.采用氨水、过氧化氢和水的混合溶液处理选择性腐蚀后的Si1-xGex与Si表面,得到了高应变度、高晶体质量的超薄SSOI.采用原子力显微镜(AFM)测试腐蚀速度以及腐蚀后的表面粗糙度；使用喇曼光谱仪表征Si1-xGex以及应变硅的组分以及应变度；使用透射电子显微镜(TEM)对SSOI的晶体质量进行了表征.结果表明,超薄SSOI的表面粗糙度(RMS)为0.446 nm,顶层Si的应变度为0.91％,顶层应变硅层厚度为18 nm,且具有高的晶体质量.

关键词：选择性腐蚀、应变硅、超薄、绝缘体上应变硅、锗硅

所属期刊栏目：38

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划2010CB832906;上海市自然科学基金12ZR1436300

在线出版日期：2013-03-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：40-44