p-GaN退火对InGaN量子阱光学性能的影响

摘要：

近年来,N2退火和O2退火均被用于激活p-GaN中的Mg受主以提高p-GaN中的空穴浓度.基于两种退火技术,系统地研究了N2退火和O2退火对LED样品电学性能及光学性能的影响.电流电压特性的测试结果显示,在较低温度(500℃)下O2退火就可以达到与N2高温退火(800℃)相似的电学特性.变温光致发光测试表明,N2高温退火会在InGaN量子阱中形成In团簇,In团簇作为深的势阱增加了对载流子的束缚,能够将载流子更好地局限在势阱中.然而In团簇形成的同时也伴随着大量位错的产生,使其InGaN量子阱中的位错密度大幅度提高,因此室温下N2退火样品的辐射复合效率低于O2退火样品的辐射复合效率.

关键词：p型氮化镓、热退火、变温光致发光、铟团簇、位错密度

所属期刊栏目：38

分类号：TN312.8;TN304.23(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金10974165,91023048,61106044;高等学校博士学科点专项科研基金20110121110029

在线出版日期：2013-03-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：35-39