4～20 GHz超宽带低噪声放大器单片电路

摘要：

采用分布式放大器设计原理,基于GaAs PHEMT低噪声工艺技术,研制了一款超宽带低噪声放大器单片电路.该款放大器选用分布式拓扑结构,由五级电路构成,为了进一步提高分布式放大器的增益,在每一级又采用了两个场效应晶体管(FET)串联结构.放大器采用了自偏压单电源供电,因为每级有两个FET串联,自偏压电路更为复杂,通过多个电阻分压的方式确定了每个FET的工作点.测试结果表明,该放大器在频率4～ 20 GHz内,增益大于14 dB,噪声系数小于3.0dB,增益平坦度小于±1.0 dB,输入驻波比小于1.5∶1,输出驻波比小于1.8∶1,1 dB压缩点输出功率大于10 dBm.放大器的工作电压为8V,电流约为50 mA,芯片面积为2.0 mm ×2.0 mm.

关键词：超宽带、低噪声放大器、行波、微波单片集成电路、砷化镓赝配高电子迁移率晶体管

所属期刊栏目：38

分类号：TN43;TN722.3(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家重点基础研究发展计划资助2009CB320200

在线出版日期：2013-03-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：6-9