IGBT器件栅极漏电问题研究

摘要：

IGBT器件具有输入阻抗高和导通压降低的优点,在大功率电力电子领域具有广泛的应用,但IGBT器件的栅极漏电问题严重影响产品的成品率和可靠性,是产品制造工艺控制的关键.栅极漏电问题主要由栅氧化层质量、多晶硅栅形貌以及栅极与发射极之间的隔离等问题所致,通常造成栅极短路漏电的原因比较容易发现,但栅极轻微漏电的原因比较复杂,需要通过科学的分析,才能找到问题的根源.通过对典型栅极漏电(栅极间呈现二极管特性)问题的调查,总结了解决问题的思路和方法,对IGBT芯片制造者或器件应用者有一定的参考作用.

关键词：绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、漏电、短路、二极管特性、磷硅玻璃(PSG)、栅氧(GOX)

所属期刊栏目：37

分类号：TN386(半导体技术)

在线出版日期：2012-12-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：738-742