AlGaInP红光LED的GaP窗口层自组装法粗化

摘要：

利用高分子共混物的自组装机理,将聚苯乙烯(polystyrene,PS)和聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate,PMMA)进行混合形成共混物,并进行微相分离和自组装,然后将共混物放置到超声装置中,利用超声波辅助,使自组装微粒直径和位置分布相对均匀,形成用于刻蚀微纳结构的微掩模.最后利用湿法腐蚀,在LED的GaP窗口层上制作出纳米结构的粗化层.通过SEM、显微镜手段,优化了刻蚀条件.测量了器件的光强、光功率以及Ⅰ-Ⅴ曲线,结果表明,使用高分子自组装进行粗化,可以在保持电压及波长特性的条件下,提高光输出功率19.3％.

关键词：发光二极管、粗化、磷化镓、自组装、窗口层

所属期刊栏目：37

分类号：TN312.8(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;北京市教委项目

在线出版日期：2012-12-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：698-701