Pt纳米颗粒辅助化学刻蚀重掺杂p型单晶硅研究

摘要：

首先在SiO2/Si衬底上磁控溅射了一层超薄Pt薄膜,并通过快速热退火形成了分离的Pt纳米颗粒阵列.接着研究了在氢氟酸和双氧水的混合溶液中Pt纳米颗粒辅助化学刻蚀重掺杂p型单晶硅片的特性.结果表明,当氢氟酸的浓度为1.06 mol/L时,样品表面分布着许多Pt岛链,在硅衬底表面没有观察到任何孔洞；当氢氟酸的浓度上升到5.3 mol/L时,样品表面起伏不平,出现许多大小不一的小丘,岛链状Pt减少；当氢氟酸的浓度增加到26.5 mol/L时,样品表面出现大量的孔洞,Pt岛链进一步减少.通过对样品的剖面结构进行观察,发现硅衬底中形成了致密的介孔,同时还观察到底部含有Pt岛状物的不规则沟槽,并且介孔的生长速率快于沟槽.最后,对上述实验现象的形成机制进行了讨论.

关键词：重掺杂p型单晶硅、Pt纳米颗粒、快速热退火、辅助化学刻蚀、氢氟酸浓度

所属期刊栏目：37

分类号：TN405.983;TB383(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金61076076

在线出版日期：2012-12-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：693-697