10.3969/j.issn.1003-353x.2012.09.007
Pt纳米颗粒辅助化学刻蚀重掺杂p型单晶硅研究
首先在SiO2/Si衬底上磁控溅射了一层超薄Pt薄膜,并通过快速热退火形成了分离的Pt纳米颗粒阵列.接着研究了在氢氟酸和双氧水的混合溶液中Pt纳米颗粒辅助化学刻蚀重掺杂p型单晶硅片的特性.结果表明,当氢氟酸的浓度为1.06 mol/L时,样品表面分布着许多Pt岛链,在硅衬底表面没有观察到任何孔洞;当氢氟酸的浓度上升到5.3 mol/L时,样品表面起伏不平,出现许多大小不一的小丘,岛链状Pt减少;当氢氟酸的浓度增加到26.5 mol/L时,样品表面出现大量的孔洞,Pt岛链进一步减少.通过对样品的剖面结构进行观察,发现硅衬底中形成了致密的介孔,同时还观察到底部含有Pt岛状物的不规则沟槽,并且介孔的生长速率快于沟槽.最后,对上述实验现象的形成机制进行了讨论.
重掺杂p型单晶硅、Pt纳米颗粒、快速热退火、辅助化学刻蚀、氢氟酸浓度
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TN405.983;TB383(微电子学、集成电路(IC))
国家自然科学基金61076076
2012-12-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
693-697