基于迟滞比较器的过热保护电路设计

摘要：

为了防止芯片过热,提高芯片可靠性和稳定性,采用0.5 μm CMOS工艺,设计了一种具有迟滞比较器的过热保护电路.由于采用了折叠式运放,使得比较器输入范围更大,灵敏度和迟滞性能更好.利用Cadence Spectre仿真工具对电路进行了仿真,结果表明电源电压为4.5～7V时,过温保护阚值变化量极小,表现出输出信号对电源的良好抑制.当温度超过130℃时,输出信号翻转,芯片停止工作；温度降低至90℃时,芯片恢复工作.此电路可以通过调整特定管子的尺寸而控制两个阈值电压的大小,从而避免热振荡的发生.

关键词：CMOS、迟滞比较器、过热保护、翻转、热振荡

所属期刊栏目：37

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金;辽宁省创新资金

在线出版日期：2012-12-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：670-673