晶体硅片上激光打孔的研究

摘要：

背面接触太阳电池越来越多地被人们关注,这种电池增加了使用激光器在硅片上打孔工艺.选用了半导体激光器作为光源在晶体硅片上进行打孔实验.通过调节激光器的功率、离焦量、脉冲重复频率等参数并分析其对打孔的影响.在激光打孔后,对硅片使用显微镜测试来分析打孔大小、形貌和损伤区,并优化打孔的参数.通过实验证实孔的入孔直径和出孔直径都随激光能量的增大而增大.随着离焦量的增大,出孔直径先增大后减小,且出孔直径越大时孔附近的破坏区域越小.脉冲重复频率的变化由于影响激光能量而影响孔径.另外,脉冲重复频率过大时,激光能量仍然比较大,但却打不穿硅片.

关键词：激光打孔、脉冲能量、离焦量、重复频率、太阳电池

所属期刊栏目：37

分类号：TN304(半导体技术)

在线出版日期：2012-07-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：375-380,389