GaN基HEMT器件抗逆压电性能研究

摘要：

可靠性问题是GaN基HEMT器件走向实用化的关键,逆压电效应导致器件退化是近年来比较引人瞩目的理论之一.对于GaN基HEMT器件,当其承受外加电场时,由于逆压电效应,电场最终转化成弹性势能.当电场足够大,突破势垒层材料所能承受的临界弹性势能,势垒层材料就会发生松弛.根据逆压电效应导致器件退化机理,从弹性势能的角度出发,对低Al组分A1GaN势垒层、InAlN势垒层和AlGaN背势垒等三种结构进行理论分析.分析表明,三种结构均能较大程度地改善GaN基HEMT器件的抗逆压电能力,从而提高器件可靠性.

关键词：GaN基高电子迁移率晶体管、逆压电效应、可靠性、弹性势能、压电本构方程

所属期刊栏目：37

分类号：TN304.23(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金

在线出版日期：2012-07-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：351-354,366