应用于WCDMA的双频单片SiGe BiCMOS功率放大器

摘要：

采用0.18 μm SiGe BiCMOS工艺设计实现了一款用于3GPP WCDMA 850/2100 (band-Ⅰ/band-Ⅴ)的双频单芯片功率放大器(PA).PA采用单端共射级3级级联的结构,具有带模拟开关的片上偏置电路,通过控制偏置电流对两个PA工作状态进行切换.制造的芯片面积为1.82 mm×2.83 mm,片上集成了开关电路、偏置电路和输入匹配、级间匹配电路.在3.3V电源电压下测试结果表明,对于band-Ⅴ (CLR)频段,PA的线性输出功率P1dB为28.6 dBm,5 dBm输入时,功率附加效率PAE,为34％.对于band-Ⅰ (IMT)频段,PA的P1dB为26.3 dBm,PAE为31％.

关键词：功率放大器、双频、偏置电路、锗硅、异质结双极晶体管、宽带码分多址

所属期刊栏目：36

分类号：TN722.75(基本电子电路)

资助基金：国家科技重大专项;教育部科学技术研究项目;上海市AM基金;上海市教委科研创新重点项目

在线出版日期：2012-01-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：697-700,725