SiGe HBT发射区台面自中止腐蚀技术研究

摘要：

台面结构SiGe/Si异质结晶体管制作过程中,发射区台面形成尤为关键.由于干法刻蚀速率难以精确控制,且易损伤SiGe外基区表面,SiGe自中止湿法腐蚀成为台面结构SiGe/Si异质结晶体管制作过程中的优选工艺.分析了SiGe自中止腐蚀的反应机理,对腐蚀条件包括掩蔽膜的选取,温度、超声等因素对腐蚀速率及均匀性的影响进行摸索,取得了较好结果,最终采用该技术完成了SiGe/Si npn型异质结晶体管的制作,测得其电流增益β＞80,对采用台面结构制造SiGe/Si HBT具有一定参考价值.

关键词：SiGe/Si、异质结晶体管、台面结构、干法刻蚀、自中止腐蚀、腐蚀条件

所属期刊栏目：36

分类号：TN305.7(半导体技术)

资助基金：邯郸市科学技术研究与发展计划1155103119-4

在线出版日期：2012-01-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：689-692