Al沉积时间对Si衬底GaN材料的影响

摘要：

通过改变高温AlN形核层生长时提前通入TMAl的时间,分别在Si (111)衬底上生长了4个1μm厚的GaN样品,并对每个样品的GaN外延材料进行了分析研究.通过显微镜观察发现,Al的沉积时间为12 s时,GaN材料表面光亮,基本没有裂纹.另外通过喇曼谱和光荧光谱(PL)测试得出,随着生长初期Al沉积时间的增加(8～15 s),GaN外延层的水平应力逐渐减小(由1.28 GPa减小到0.67 GPa),Al的沉积时间为12 s时GaN外延材料的应力较小.同时,GaN材料(002)和(102)晶面的X射线衍射摇摆曲线表明,Al的沉积时间为12 s时GaN外延材料的晶体质量最好.

关键词：GaN、Al沉积时间、喇曼、光荧光谱、硅衬底

所属期刊栏目：36

分类号：O484.5(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金

在线出版日期：2012-01-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：668-671