磨料黏度对CMP抛光速率的影响及机理的研究

摘要：

抛光磨料在抛光衬底和抛光垫间做磨削运动,它是CMP工艺的重要组成部分,是决定抛光速率和平坦化能力的重要影响因素.因此分析磨料的各物性参数对CMP过程的影响尤为重要.随着晶圆表面加工尺寸的进一步精密化,磨料黏度作为抛光磨料重要物性参数之一,受到越来越多的重视.根据实验结果从微观角度研究了磨料黏度对CMP抛光速率的影响及机理,并由此得出当抛光波磨料黏度为1.5 mPa·s时,抛光速率可达到458 nm/min且抛光表面粗糙度为0.353 nm的良好表面状态.

关键词：黏度、去除速率、磨料、化学机械抛光、表面状态

所属期刊栏目：36

分类号：TN305.2(半导体技术)

资助基金：国家中长期科技发展规划2009ZX02308

在线出版日期：2012-01-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：664-667