超宽带开关矩阵的研制

摘要：

介绍了一种采用p-i-n开关设计的单路选通开关矩阵.通过合理设计p-i-n二极管的直流反偏电压,解决了p-i-n开关矩阵承受功率的设计问题;采用宽带锥形电感和空心电感相结合的电路形式,设计了一种宽带的偏置电路;优化了开关矩阵电路的设计,简化了电路结构形式,提高了开关矩阵的微波性能和可生产性.设计实现了一种超宽带单路选通开关矩阵,工作频率为1～18 GHz,插入损耗(IL)＜5dB,端口隔离(Isolation)＞35dB.验证结果表明,理论仿真结果与实验测试结果基本一致,证明了设计方法的可行性.

关键词：p-i-n二极管、偏置电路、大功率、宽带、开关矩阵

所属期刊栏目：36

分类号：TN312.4(半导体技术)

在线出版日期：2011-09-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：474-477