一种多频带高线性度CMOS单边带混频器

摘要：

基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计实现了一种多频带高线性度的单边带(SSB)混频器.该混频器以经典的电流换向结构为基础,采用电阻负载以满足多频带工作、高线性度和高带内增益平坦度要求,并节省了面积.通过集成有源巴伦将混频器输出差分信号转换成单端信号,提高了发射机的系统集成度且有利于降低功耗.测试结果表明:在2.3～2.4 GHz及3.4～3.6 GHz工作频带内,IP1dB大于0 dBm,带内增益平坦度小于0.5 dB,本振泄漏小于-47 dBm,镜像信号抑制大于36 dB,为LTE标准的无线射频前端芯片的进一步研究提供了参考.

关键词：多频带、高线性度、有源巴伦、带内平坦度、单边带混频器

所属期刊栏目：36

分类号：TN773(基本电子电路)

资助基金：国家科技重大专项;国家科技重大专项

在线出版日期：2011-09-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：455-458