TEOS LPCVD技术在SiC功率器件工艺中的应用

摘要：

应用正硅酸乙酯(TEOS)LPCVD技术实现二氧化硅在SiC晶片表面的淀积,在一定程度上弥补了SiC氧化层过薄和PECVD二氧化硅层过于疏松的弊端.采用TEOS LPCVD技术与高温氧化技术的合理运用,既保证了氧化层介质的致密性和与SiC晶片的粘附能力,又提高了器件的电性能和成品率,同时避免了为获得一定厚度氧化层长时间高温氧化的不足.采用此技术后,SiC芯片的直流成品率得到提高,微波功率器件的对比流片结果显示微波性能也得到了明显的提升,功率增益比原工艺提高了1.5dB左右,功率附加效率提升了近10%.

关键词：低压化学气相淀积、正硅酸乙酯、碳化硅、微波功率器件、二氧化硅

所属期刊栏目：36

分类号：TN304.055;TN386(半导体技术)

在线出版日期：2011-09-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：439-442