Ta2O5高k介电薄膜的制备及其电学性质的研究

摘要：

用射频磁控溅射法制备了Ta2O5高介电薄膜,并对其进行了退火处理.用C-V,(G/ω)-V和I-V方法研究了Al/Ta2O5/p-Si结构的电学特性,观测到了C-V和(G/ω)-V的频散效应.认为串联电阻、Si/Ta2O5界面的界面态密度、边缘俘获是频散效应的主要原因,提取了界面态密度和边缘俘获电荷的大小.同时也研究了不同的退火温度对这些参数以及漏电流的影响,经600℃退火后,样品的电容最大,俘获电荷密度和漏电流最小,器件的电学性能最佳.

关键词：Ta2O5薄膜、射频磁控溅射、C-V特性、退火、高介电常数

所属期刊栏目：36

分类号：TN304.21;TB43(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;国家重点实验室开放基金

在线出版日期：2011-09-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：425-429,450