利用Ni纳米岛模板制备半极性晶面GaN纳米柱

摘要：

报道了在GaN表面以Ni纳米岛结构作为模板,利用电感耦合等离子(ICP)刻蚀制备GaN纳米柱的研究结果.原子力显微镜(AFM)测试结果表明,金属Ni薄膜在快速热退火(RTA)作用下形成了平均直径和高度大约分别为325 nm和70 nm的纳米岛状结构.通过电子扫描显微镜(SEM)照片看出,以GaN表面所形成的Ni纳米岛作为模板图形,通过控制ICP刻蚀时间,在一定的刻蚀时间内(2 min)获得有序的并拥有半极性晶面的GaN纳米柱阵列.这种新颖的半极性GaN纳米柱作为氮化物量子阱或者超晶格结构的生长模板,可以有效减小甚至消除极化效应,提高光电子器件的效率和性能.

关键词：氮化镓、镍纳米岛模板、电感耦合等离子刻蚀、半极性面、氮化镓纳米柱

所属期刊栏目：36

分类号：TN304.23(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划（973计划）;国家高技术研究发展计划（863计划）;国家自然科学基金;江苏省自然科学基金;南京大学扬州光电研究院研发项目

在线出版日期：2011-09-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：417-420,442