磁控溅射法制备Ag掺杂p型ZnO薄膜的研究

摘要：

采用磁控溅射法在石英玻璃基片上生长ZnO和ZnO:Ag薄膜.借助于SEM、XRD、霍尔测试、透射谱测试等方法,分析了O_2气氛下退火温度对薄膜结构和电学性能的影响.霍尔测试结果表明,Ag掺杂ZnO薄膜经过600℃的O_2气氛中热处理转变为P型电导.薄膜的XRD测试表明晶粒大小随退火温度升高而增大,所有薄膜样品只出现(002)衍射峰,呈现C轴取向生长.薄膜对可见光的透过率大于83%,其吸收限为378 nm.

关键词：氧化锌薄膜、银掺杂、P型半导体、磁控溅射、霍尔测试

所属期刊栏目：35

分类号：TN305.92(半导体技术)

在线出版日期：2010-05-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：225-227,232