提高SiC MESFET栅金属平坦性的方法

摘要：

SiC金属-半导体场效应晶体管的工艺研制中,通常需要有源区之间的隔离.现常用刻蚀隔离的方法,但这一方法存在细栅条跨越隔离台阶的问题,若隔离台阶太陡,则栅金属在台阶处连续性较差,易产生电迁徙,器件工作时首先在此处烧毁,使器件失效.设计了几种提高栅金属平坦性的方法:通过优化台上掩模层台阶倾斜角以及调整刻蚀ICP,RIE功率可以实现180左右倾斜台阶;通过"类平坦化"技术可以将绝缘介质淀积到台下区,基本实现无台阶;利用"离子注入隔离"取代"刻蚀隔离"则可以真正实现无台阶.实验验证以上方法可以有效提高栅金属的平坦性.

关键词：金属-半导体场效应晶体管、栅金属、平坦性、隔离台阶、电迁徙、离子注入隔离

所属期刊栏目：35

分类号：TN386.3(半导体技术)

在线出版日期：2010-05-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：221-224