Si基微波单片集成电路的发展

摘要：

随着半导体制造技术和材料技术的进步,Si基微波单片集成电路逐渐向高频、高线性、低噪声、低成本方向发展.介绍了近年国内外在Si基微波单片集成电路在制造工艺、电路结构和制作材料上的革新,阐述了三维Si微波单片集成电路技术、隔离槽技术、Si高阻衬底技术、SiGe技术等对Si基微波单片集成电路发展的影响,并列举了一些典型的应用.最后展望了Si基微波单片集成电路的发展前景.

关键词：硅基微波单片集成电路、三维、隔离槽、硅高阻硅衬底、锗硅

所属期刊栏目：35

分类号：TN454(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2010-05-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：205-208,281